X射線吸收譜(XAS)是一種基于同步輻射光源的先進分析技術,通過測量物質對X射線的吸收特性,揭示原子局域電子態及幾何結構信息。其核心原理可分解為物理過程與能量分區兩大維度:
物理過程:電子躍遷與散射干涉
當X射線能量達到原子內層電子(如K、L層)的電離能時,電子被激發為光電子,形成吸收邊的突躍。光電子以波函數形式向外傳播,若遇到近鄰原子會發生彈性散射(背散射),散射波與出射波在吸收原子處干涉,導致吸收系數隨能量周期性振蕩。這一過程可通過朗伯-比爾定律定量描述:吸收系數μ(E)與樣品厚度d、入射強度I?和透射強度I的關系為I=I0⋅e−μ(E)d。
能量分區:XANES與EXAFS的協同解析
X射線吸收近邊結構(XANES)
聚焦吸收邊10eV至邊后50eV的強振蕩區域,反映光電子與近鄰原子的多重散射效應。其譜圖特征(如邊前峰、肩峰)直接關聯吸收原子的電子態密度分布,例如通過吸收邊位置偏移可定量分析元素價態變化(如Fe²?與Fe³?的區分),邊前峰的存在則揭示未占據分子軌道信息。
擴展X射線吸收精細結構(EXAFS)
覆蓋吸收邊后50-1000eV的弱振蕩區域,源于光電子的單次散射效應。通過傅里葉變換將振蕩信號轉換為徑向分布函數,可精確獲取配位原子鍵長(精度達0.01Å)、配位數及無序度等信息。例如,在鋰離子電池材料研究中,EXAFS可揭示過渡金屬(如Ni、Co)在充放電過程中的配位環境演變。
實驗方法:多模式適配與原位表征
透射模式
適用于高濃度樣品(如粉末、薄膜),通過測量入射與透射X射線強度比計算吸收系數。需控制樣品厚度以避免自吸收效應,常用于晶體、非晶態及液態樣品的靜態分析。
熒光模式
利用目標原子受激后發射的熒光信號強度反推吸收量,適用于低濃度或單原子體系(如催化劑表面活性位點)。例如,在燃料電池Pt催化劑研究中,熒光模式可精準定位表面Pt原子的配位狀態。
原位/operando技術
結合高壓、高低溫或電化學環境,實時追蹤材料在反應過程中的結構動態。例如,在電催化CO?還原研究中,原位XAS可揭示催化劑活性位點的價態變化與配位重構機制。
技術優勢與典型應用
XAS對樣品形態無嚴格要求(粉末、液體、氣體均可),且不破壞樣品,在材料科學、能源存儲、環境監測等領域應用廣泛。例如,在稀土摻雜半導體材料研究中,XAS可同時解析局域結構畸變與電子態分布;在生物醫學領域,XAS可表征金屬蛋白(如血紅素)中金屬離子的配位環境,為藥物設計提供結構依據。
通過XANES與EXAFS的協同解析,結合透射、熒光及原位實驗模式,XAS已成為揭示材料原子尺度結構-性能關系的關鍵工具,推動著從基礎研究到工業應用的跨越式發展。