要使用單晶衍射儀培養(yǎng)高質(zhì)量單晶，需從溶劑選擇、晶體生長(zhǎng)方法、樣品預(yù)處理、環(huán)境控制、溶劑系統(tǒng)優(yōu)化、分子結(jié)構(gòu)特性、操作細(xì)節(jié)等多方面入手，以下為具體說(shuō)明：

　　一、溶劑選擇與性質(zhì)

　　1.溶解度適中：溶劑對(duì)樣品的溶解度應(yīng)適中，溶解度太大易導(dǎo)致叢生晶體，太小則無(wú)法提供足夠的溶質(zhì)供晶體生長(zhǎng)。

　　2.揮發(fā)度適中：溶劑的揮發(fā)度對(duì)單晶生長(zhǎng)至關(guān)重要。揮發(fā)度太大，溶劑迅速揮發(fā)，可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)快，質(zhì)量下降；揮發(fā)度太小，則生長(zhǎng)周期過(guò)長(zhǎng)，效率低下。

　　3.透光性與溫度傳導(dǎo)性：溶劑應(yīng)具有良好的透光性，便于觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程；同時(shí)，溫度傳導(dǎo)性要好，以便于控制過(guò)飽和溶液的制作與晶體生長(zhǎng)過(guò)程的溫度。

　　4.單一溶劑與混合溶劑：

　　單一溶劑系統(tǒng)：若能找到一種對(duì)樣品溶解度與揮發(fā)度均適中的溶劑，可直接使用該溶劑進(jìn)行單晶培養(yǎng)。

　　混合溶劑系統(tǒng)：當(dāng)單一溶劑無(wú)法滿(mǎn)足要求時(shí)，可選擇兩種或兩種以上的溶劑，制成對(duì)樣品溶解度與揮發(fā)度均適中的混合溶劑系統(tǒng)。例如，CH?Cl?/C?H?OC?H?、THF/C?H?OC?H?等。

　　二、晶體生長(zhǎng)方法

　　1.溶劑緩慢揮發(fā)法：

　　原理：通過(guò)溶劑的緩慢揮發(fā)，使溶液由不飽和達(dá)到飽和過(guò)飽和狀態(tài)，從而析出單晶。

　　適用條件：適用于樣品量適中（10-25mg最佳）的情況。

　　操作要點(diǎn)：選擇沸點(diǎn)適中（60-90℃）的溶劑，用棉花團(tuán)輕輕過(guò)濾樣品溶液，避免將濾紙纖維帶入濾液；用保鮮膜封好容器口，用細(xì)針戳孔以控制揮發(fā)速度。

　　2.液相擴(kuò)散法：

　　原理：通過(guò)不良溶劑緩慢揮發(fā)或液-液擴(kuò)散的方式進(jìn)入良溶劑，改變?nèi)芙舛龋咕w析出。

　　適用條件：適用于樣品量較少的情況。

　　操作要點(diǎn)：采用層鋪法，上層為不良溶劑，中間為混合溶劑緩沖層，下層為良溶劑溶液；良溶劑與不良溶劑的比例最好為1:2-1:4。

　　3.氣相擴(kuò)散法：

　　原理：與液相擴(kuò)散法類(lèi)似，但通過(guò)氣相擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)溶劑的轉(zhuǎn)移。

　　適用條件：同樣適用于樣品量較少的情況。

　　操作要點(diǎn)：選擇合適的溶劑體系，如DMF/C?H?OC?H?、MF/己烷等。

　　4.其他方法：

　　冷卻法：通過(guò)降低溫度減小溶解度，使溶液達(dá)到飽和過(guò)飽和狀態(tài)。

　　水熱法或溶劑熱法：適用于特別難溶的化合物，在高溫高壓條件下反應(yīng)生成化合物并生長(zhǎng)晶體。

　　熔融微滴法：從熔融微滴中迅速收獲單晶，適用于某些特定化合物。
 

　　三、樣品預(yù)處理與純度

　　1.樣品純度：化合物結(jié)晶前應(yīng)盡量保證純度，一般需達(dá)到95%以上。但若實(shí)在無(wú)法提純，也可通過(guò)多次培養(yǎng)實(shí)現(xiàn)提純。

　　2.樣品預(yù)處理：樣品溶解后應(yīng)過(guò)濾以去除雜質(zhì)。過(guò)濾時(shí)避免使用濾紙，可用一小團(tuán)棉花輕輕塞在滴管中下部進(jìn)行過(guò)濾。

　　四、環(huán)境控制與觀察

　　1.安靜環(huán)境：培養(yǎng)單晶時(shí)應(yīng)放到?jīng)]人碰的地方，避免震動(dòng)影響晶體生長(zhǎng)。

　　2.定期觀察：一般一兩天看一次即可，觀察時(shí)不要?jiǎng)拥狡孔印？捎昧炼容^高的手電筒照射，觀察晶體的大小和光澤。

　　3.及時(shí)更換溶劑體系：對(duì)于明顯不行的溶劑體系（如析出大量絮狀固體或粉末），應(yīng)及時(shí)更換溶劑體系重新培養(yǎng)。

　　五、溶劑系統(tǒng)與過(guò)飽和度的摸索

　　1.多溶劑體系試驗(yàn)：若樣品量大，建議將樣品均勻分成多份，同時(shí)試驗(yàn)多個(gè)溶劑體系，以減少培養(yǎng)時(shí)間。

　　2.記錄與總結(jié)：做好每次培養(yǎng)的記錄，包括溶劑體系、溫度、觀察結(jié)果等，以便總結(jié)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)。

　　六、分子結(jié)構(gòu)特性對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響

　　1.剛性結(jié)構(gòu)：擁有剛性結(jié)構(gòu)（如苯環(huán)）的化合物比擁有柔性結(jié)構(gòu)的化合物更容易析出單晶。

　　2.烷基鏈長(zhǎng)度：化合物結(jié)構(gòu)中烷基鏈超過(guò)4個(gè)碳的很難培養(yǎng)單晶。

　　3.取代基類(lèi)型：含氯的取代基一般容易長(zhǎng)單晶。

　　4.叔丁基的影響：分子中最好不要有叔丁基，因?yàn)槿菀谉o(wú)序，影響單晶解析的質(zhì)量。